内存市场自2026年以来出现快速增长。根据市场研究公司Counterpoint Research 2月9日发布的2月份内存价格跟踪报告显示，自2026年第一季度以来，内存价格较2025年第四季度末上涨了80%至90%，所有DRAM、NAND和HBM品类的价格均创历史新高。通用服务器DRAM是本次价格上涨的主要推动力。业内人士表示，为应对行业供需格局调整，产业链各环节正在加速优化经营策略，而随着国外主要厂商产能配置变化，国内仓储企业有望率先迎来本土化发展机遇。所有地区的物价都在快速上涨。在这个内存市场，价格全面加速上涨。根据上述Counterpoint Research报告显示，此前稳定的NAND闪存价格自2026年第一季度以来已上涨80%至90%。这与部分HBM3e产品的价格上涨相结合，导致所有类别的价格上涨。以服务器级内存为例，64GB RDIMM 合同价格预计将从 2025 年第四季度的 450 美元上涨至 2026 年第一季度的 900 美元以上，第二季度将超过 1000 美元。集邦咨询分析师徐佳源对《证券日报》记者表示，2025年第四季度各用途DRAM合约价普遍上涨40%以上，从2026年第一季度开始合约价再度飙升。他表示，DDR4市场供需失衡现象尤为明显。预计 2026 年第一季度增长将进一步加速，并持续到第二季度。业内人士认为，此次涨价的主要原因是供需平衡的崩溃。国外主要厂商产能结构。群智咨询CEO李亚勤对《证券日报》记者表示，随着AI算力中心建设的启动，对服务器和内存的需求不断增加。目前，存储行业正处于紧缺状态，当前AI计算也处于紧缺状态。由于能力建设仍处于基础设施建设的早期阶段，这种情况将持续很长一段时间。东芯半导体股份有限公司（以下简称“东芯半导体”）在投资者研究活动中表示，三星电子、铠侠、海力士、美光科技等国外主要存储公司专注于高端3D NAND闪存、HBM和大容量DDR5产品，普遍实施减产和产能调控策略，这对SLC NAND造成负面影响。闪存、利基 DRAM 和 DDR4 等传统细分市场的投资和供应逐渐下降，进一步加剧了DDR4市场的供需失衡，导致价格持续上涨。对于后续市场走势，李亚勤认为，从2026年第二季度开始，内存价格涨幅每个季度都会下降，下半年部分品类涨幅将会停止，但短期内价格下降的可能性不大。产业链碎片化。这一系列的内存涨价，直接提升了厂商的盈利能力。业内专家表示，DRAM制造商的营业利润率预计将在2026年第一季度超过历史水平。在巅峰时期，该行业的收入将达到创纪录的水平。国内相关企业也受益于行业的上行周期。深圳朗科科技股份有限公司1月29日在投资者对话平台表示，全球存储行业正处于上升周期。 DDR内存价格上涨由于供需模式的改善以及对人工智能算力的需求，整个行业的崛起。公司产能利用率良好，生产方案优化。东芯科技股份有限公司2月9日也在投资者对话平台上表示，其存储产品的市场需求逐渐好转，市场价格也逐渐回升。与上游的高盈利能力相反，下游的原始设备制造商（OEM）面临着双重经营压力，其中消费电子是受影响最大的行业。业内专家认为，到2026年，存储整体价格将达到较高水平，促使品牌制造商调整设备销售价格和产品结构。为应对成本压力，下游厂商纷纷进行产品降级和替代。我们采取了置换、结构调整等措施。徐嘉源表示，部分品牌的PC（个人电脑）和智能手机选择是降低内存规格并要求模块制造商提供替代供应。预计2026年PC和智能手机的全球出货量可能会出现下滑。值得注意的是，这一系列行业变化也为国内存储企业提供了本土化发展机会。东信在对投资者的调查中表示，随着国外主要厂商逐渐退出传统存储细分市场以及本地化需求不断增加，公司在相关领域的市场份额有望持续扩大，将有良好的发展机会。
（编辑：黄春民）